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參數資料
型號: US6J11TR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數: 6/12頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
標準包裝: 3,000
FET 型: 2 個 P 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1.3A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 260 毫歐 @ 1.3A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 290pF @ 6V
功率 - 最大: 700mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝: UMT6
包裝: 帶卷 (TR)
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