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參數(shù)資料
型號: US6K2TR
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
產(chǎn)品目錄繪圖: TUMT-6 Package Top
特色產(chǎn)品: ECOMOS? Series MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 240 毫歐 @ 1.4A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 70pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-SMD,扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TUMT6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: US6K2DKR
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