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參數資料
| 型號： | US6X4 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Low frequency amplifier |
| 中文描述： | 低頻放大器 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | US6X4 |
US6X4
Transistors
Rev.A
1/2
Low frequency amplifier
US6X4
z
Application
Low frequency amplifier
Driver
z
Features
1) A collector current is large.
2) V
CE(sat)
: max. 370mV
At lc=1.5A / l
B
=75mA
z
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emiter-base voltage
z
External dimensions
(Unit : mm)
0
0
0
0.15Max.
2
1
0
(2)
(5)
(1)
(3)
(6)
(4)
1.7
2.1
0.2
1pin mark
0.2
0
0
ROHM : TUMT6 Abbreviated symbol : X04
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Limits
30
30
6
2
4
400
1.0
150
1
2
3
Unit
V
V
V
A
A
mW
Collector current
Power dissipation
W
°
C
°
C
Tj
Tstg
55 to
+
150
Junction temperature
Range of storage temperautre
1 Single pluse, Pw
=
1ms
2 Each Terminal Mounted on a Recommended Land Pattern
3 Mounted on a 25mm
×
25mm
×
0.8mm ceramic substrate
z
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
t
z
Equivalent circuit
(4)
(5)
(6)
(1)
(2)
(3)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Min.
30
30
6
270
Typ.
180
Max.
100
100
370
680
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
Conditions
V
CB
=
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
Transition frequency
Collector output capacitance
Pulsed
f
T
280
20
MHz
pF
V
CE
=
2V, I
E
=
200mA, f
=
100MHz
I
C
=
10
μ
A
I
C
=
1mA
I
E
=
10
μ
A
V
CB
=
30V
V
EB
=
6V
I
C
=
1.5A, I
B
=
75mA
V
CE
=
2V, I
C
=
200mA
Collector-emitter breakdown voltae
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Collector-base breakdown voltae
Cob
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PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| US6X4TR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIPOLAR NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| US6X5 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low frequency amplifier (12V, 2A) |
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