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VLS252008ET-4R7M-CA

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封裝
批號
價格
說明
操作

VLS252008ET-4R7M-CA
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
6000
TDK Corporation
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： VLS252008ET-6R8M VLS252008ET-6R8M-CA VLS252008ET-R47N VLS252008ET-R47N-CA VLS252008ET-R68N VLS252010CX-100M VLS252010CX-150M VLS252010CX-1R0M VLS252010CX-1R5M

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VLS252008ET-4R7M-CA PDF下載

功能描述
4.7μH Shielded Wirewound Inductor 590mA 580 mOhm Max Nonstandard
制造商
tdk corporation
系列
VLS-E-CA
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵氧體
電感
4.7μH
容差
±20%
額定電流
590mA
電流 - 飽和值
610mA
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
580 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 105°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
非標準
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.031"（0.80mm）
標準包裝
1

VLS252008ET-4R7M-CA 技術參數

VLS252008ET-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 590mA 580 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:590mA 電流 - 飽和值:610mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:580 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 VLS252008ET-3R3M-CA 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 700mA 416 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:700mA 電流 - 飽和值:730mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:416 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 VLS252008ET-3R3M 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 700mA 416 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:700mA 電流 - 飽和值:730mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:416 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 VLS252008ET-2R2M-CA 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 840mA 290 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:840mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:290 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 VLS252008ET-2R2M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 840mA 290 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:840mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:290 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm）標準包裝:1 VLS252010CX-220M VLS252010CX-2R2M VLS252010CX-3R3M VLS252010CX-4R7M VLS252010CX-6R8M VLS252010CX-R47M VLS252010CX-R68M VLS252010ET-100M VLS252010ET-100M-CA VLS252010ET-1R0N VLS252010ET-1R0N-CA VLS252010ET-1R5N VLS252010ET-1R5N-CA VLS252010ET-2R2M VLS252010ET-2R2M-CA VLS252010ET-3R3M VLS252010ET-3R3M-CA VLS252010ET-4R7M