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VLS252012ET-1R0N1R7

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  • VLS252012ET-1R0N1R7
    VLS252012ET-1R0N1R7

    VLS252012ET-1R0N1R7

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • VLS252012ET-1R0N1R7
    VLS252012ET-1R0N1R7

    VLS252012ET-1R0N1R7

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 1510

  • TDK

  • SMD

  • 2011+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • VLS252012ET-1R0N1R7
    VLS252012ET-1R0N1R7

    VLS252012ET-1R0N1R7

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發大廈60淀區知

  • 592

  • TDK

  • SMD

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
VLS252012ET-1R0N1R7 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
VLS252012ET-1R0N1R7 技術參數
  • VLS252012ET-1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 1.7A 87 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:2.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):87 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252012ET-100M-CA 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 590mA 756 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:590mA 電流 - 飽和值:730mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):756 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252012ET-100M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 590mA 756 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:590mA 電流 - 飽和值:730mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):756 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 VLS252012CX-6R8M 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.02A 330 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-CX 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±20% 額定電流:1.02A 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):330 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252012CX-4R7M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.24A 210 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-CX 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.24A 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):210 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.047"(1.20mm) 標準包裝:1 VLS252012ET-6R8M VLS252012ET-6R8M-CA VLS252012ET-R47N VLS252012ET-R47N-CA VLS252012HBU-100M VLS252012HBU-150M VLS252012HBU-220M VLS252012HBU-3R3M VLS252012HBU-4R7M VLS252012HBU-6R8M VLS252012HBX-100M-1 VLS252012HBX-1R0M-1 VLS252012HBX-1R5M-1 VLS252012HBX-2R2M-1 VLS252012HBX-3R3M-1 VLS252012HBX-4R7M-1 VLS252012HBX-6R8M-1 VLS252012HBX-R24M-1
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