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VND7N04E

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VND7N04E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
stm
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VND7N04E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

VND7N04E 技術參數

VND7N04-1-E 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND7N0413TR 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND7N04-1 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND7N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 7A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VND7140AJTR-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:ABD VIPOWER - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IC DVR HIGH-SIDE 2CH POWERSSO-16 VND81013TR VND810-E VND810MSP VND810MSP13TR VND810MSP-E VND810MSPTR-E VND810PEP-E VND810PEPTR-E VND810PTR-E VND810SP VND810SP13TR VND810SP-E VND810SPTR-E VND810TR-E VND830 VND83013TR VND830AEP-E VND830AEPTR-E