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VNP10N06FI.

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VNP10N06FI. 技術(shù)參數(shù)

VNP10N06FI 功能描述:電源開(kāi)關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開(kāi)啟電阻（最大值）:85 mOhms 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）:400 us 關(guān)閉時(shí)間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 VNP10N06-E 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNP10N06 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNN7NV04TR-E 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC N-Ch 40V 6A OmniFET RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類(lèi)型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VNN7NV04PTR-E 功能描述:MOSFET 40V 6A OMNIFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNP20N07 VNP20N07-E VNP20N07FI VNP28N04 VNP28N04-E VNP28N04FI VNP35N07 VNP35N07-E VNP35N07FI VNP35NV04 VNP35NV04-E VNP49N04 VNP49N04-E VNP49N04FI VNP49N04FI-E VNP5N07 VNP5N07-E VNP5N07FI

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