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VNP28N04.

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VNP28N04. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

VNP28N04. 技術(shù)參數(shù)

VNP28N04 功能描述:MOSFET N-Ch 42V 28A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNP20N07FI 功能描述:電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 70V 20A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關(guān)閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5 VNP20N07-E 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNP20N07 功能描述:MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube VNP14NV04-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC N-Ch 40V 14A OmniFET RoHS:否制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube VNP49N04FI VNP49N04FI-E VNP5N07 VNP5N07-E VNP5N07FI VNP7N04 VNP7N04-E VNP7N04FI VNQ05XSP16 VNQ05XSP1613TR VNQ05XSP16-E VNQ05XSP16TR-E VNQ500N-E VNQ500NTR-E VNQ500PEPTR-E VNQ5027AK-E VNQ5027AKTR-E VNQ5050AK-E