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參數資料
| 型號： | V40H1N32 |
| 英文描述： | SCHUTZSCHALTER MIT ERDANSCHLUSS 32A |
| 中文描述： | SCHUTZSCHALTER麻省理工學院ERDANSCHLUSS 32A條 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | V40H1N32 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V40H1N40 | SCHUTZSCHALTER MIT ERDANSCHLUSS 40A |
| V410A | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | TO-39 |
| V418ME03-LF | VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR |
| V418ME03 | VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR |
| V418MEM1-LF | VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| V40LA2A | 制造商:GE 功能描述:VARISTORS |
| V40M120C | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V40M120CHM3/4W | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 120V 20A Through Hole TO-220-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101，TMBS? 包裝:管件 零件狀態:* 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:120V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:890mV @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 120V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 |
| V40M120C-M3/4W | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
| V40M150CHM3/4W | 功能描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150V 20A Through Hole TO-220-3 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101，TMBS? 包裝:管件 零件狀態:* 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:20A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.43V @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:250μA @ 150V 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 |
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