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參數資料
| 型號： | VDS6632A4A-6 |
| 廠商： | ADATA Technology Co., Ltd. |
| 英文描述： | Synchronous DRAM(512K X 32 Bit X 4 Banks) |
| 中文描述： | 同步DRAM（512k × 32的位× 4個銀行） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 648K |
| 代理商： | VDS6632A4A-6 |
V-Data
VDS6632A4A
Synchronous DRAM
512K x 32 Bit x 4 Banks
General Description
The VDS6632A4A are four-bank Synchronous
DRAMs organized as 524,288 words x 32 bits x 4
banks,
Synchronous design allows precise cycle control
with the use of system clock I/O transactions are
possible on every clock cycle.
Range of operating frequencies, programmable
burst length and programmable latencies allow the
same device to be useful for a variety of high
bandwidth high performance memory system
applications
Features
JEDEC standard LVTTL 3.3V power supply
MRS Cycle with address key programs
-CAS Latency (2 & 3)
-Burst Length (1,2,3,8,& full page)
-Burst Type (sequential & Interleave)
4 banks operation
All inputs are sampled at the positive edge of
the system clock
Burst Read single write operation
Auto & Self refresh
4096 refresh cycle
DQM for masking
Package:86-pins 400 mil TSOP-Type II
Ordering Information.
Part No.
Frequency
Interface
Package
VDS6632A4A-5
200Mhz
LVTTL
400mil 86pin TSOPII
VDS6632A4A-5.5
183Mhz
LVTTL
400mil 86pin TSOPII
VDS6632A4A-6
166Mhz
LVTTL
400mil 86pin TSOPII
Pin Assignment
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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35
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38
39
40
41
42
43
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
S S Q
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
S S Q
DQ7
NC
V
DD
DQM 0
WE
CA S
RA S
CS
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
DQM 2
V
DD
NC
DQ16
V
SSQ
DQ17
DQ18
V
DDQ
DQ19
DQ20
V
SSQ
DQ21
DQ22
V
DDQ
DQ23
V
DD
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
S S
DQ15
V
S SQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
S SQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
DQ8
N C
V
S S
DQM 1
N C
N C
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM 3
V
S S
N C
DQ31
V
DDQ
DQ30
DQ29
V
S S Q
DQ28
DQ27
V
DDQ
DQ26
DQ25
V
S S Q
DQ24
V
S S
86-pin plastic TSOP II 400mil
Rev 1.0 April, 2001
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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