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參數(shù)資料
型號(hào): VMO1600-02P
廠商: IXYS
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2
系列: PolarHT™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1900A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 毫歐 @ 1600A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2900nC @ 10V
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: Y3-Li
供應(yīng)商設(shè)備封裝: Y3-Li
包裝: 托盤
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