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參數資料
型號: VMO550-01F
廠商: IXYS
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
標準包裝: 2
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 590A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.1 毫歐 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 6V @ 110mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2000nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 50000pF @ 25V
功率 - 最大: 2200W
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: Y3-DCB
供應商設備封裝: Y3-DCB
包裝: 散裝
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