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參數資料
型號: VMO580-02F
廠商: IXYS
文件頁數: 2/2頁
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描述: MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
標準包裝: 3
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 580A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.8 毫歐 @ 430A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 50mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 2750nC @ 10V
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: Y3-Li
供應商設備封裝: Y3-Li
包裝: 散裝
其它名稱: Q1221985A
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