型號(hào): | VQ1000CY |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 225MA I(D) | SO |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的|陣| N溝道| 60V的五(巴西)直| 225MA(丁)|蘇 |
文件頁數(shù): | 1/2頁 |
文件大小: | 94K |
代理商: | VQ1000CY |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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VQ1006J | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 400MA I(D) | DIP |
VR-182A | Voltage Reference |
VR-182B | Voltage Reference |
VR-182C | Voltage Reference |
VR01S1A1G01 | DRUCKTASTER VANDALENS SILBER LED GRUEN |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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VQ1000J | 功能描述:MOSFET QD 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VQ1000P | 功能描述:MOSFET QD 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
VQ1000P2 | 制造商:SILICONIX 功能描述:New |
VQ1000P-2 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.225A 14-Pin PDIP T/R |
VQ1000P-E3 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |