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W25Q256JVBIM TR

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
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    聯(lián)系人：廖先生

    電話：13612973190

    地址：廣東省深圳市華強(qiáng)北上航大廈西座410室

  • 9000

  • Winbond

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  • 22+

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W25Q256JVBIM TR 技術(shù)參數(shù)
  • W25Q256FVFIG 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 256MBIT 80MHZ 16SOIC W25Q256FVEIG 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 256MBIT 80MHZ 8WSON W25Q20CLZPIG 功能描述:IC FLASH SPI 2MBIT 8WSON RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 W25Q16VSSIG 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 8SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ W25Q16VSFIG 功能描述:IC FLASH 16MBIT 80MHZ 16SOIC RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ W25Q256JVEIQ TR W25Q256JVFIM W25Q256JVFIM TR W25Q256JVFIQ W25Q256JVFIQ TR W25Q257FVEIF TR W25Q257FVFIF W25Q257FVFIF TR W25Q257FVFIQ W25Q257FVFIQ TR W25Q257JVFIQ W25Q257JVFIQ TR W25Q32BVSFIG W25Q32BVSSIG W25Q32BVZPIG W25Q32DWSFIG W25Q32DWSFIG TR W25Q32DWSSIG
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