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參數資料
型號: W24L011AT-12
廠商: WINBOND ELECTRONICS CORP
英文描述: 128K X 8 High Speed CMOS Static RAM
中文描述: 128K的乘八高速CMOS靜態RAM
文件頁數: 3/10頁
文件大小: 206K
代理商: W24L011AT-12
W24L011A
Publication Release Date: April 26, 2002
- 3 -
Revision A3
CAPACITANCE
(V
DD
= 3.3V, T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
PARAMETER
SYM.
CONDITIONS
MAX.
UNIT
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0V
8
pF
Input/Output Capacitance
C
I/O
V
OUT
= 0V
10
pF
Note: These parameters are sampled but not 100% tested.
AC CHARACTERISTICS
AC Test Conditions
PARAMETER
CONDITIONS
Input Pulse Levels
0V to 3V
Input Rise and Fall Times
3 nS
Input and Output Timing Reference Level
1.5V
Output Load
C
L
= 30 pF, I
OH
/I
OL
= -4 mA/8 mA
AC Test Loads and Waveform
90%
90%
3 nS
10%
3 nS
10%
R1 320 ohm
3.3V
OUTPUT
R2
350 ohm
30 pF
Including
Jig and
Scope
3.0V
0V
3.3V
OUTPUT
R1 320 ohm
5pF
Including
Jig and
Scope
R2
350 ohm
(For T
OLZ,
CHZ,
T
OHZ,
T
WHZ,
T
OW
T
T
)
相關PDF資料
PDF描述
W24L011AT-15 128K X 8 High Speed CMOS Static RAM
W24L011A 128K X 8 High Speed CMOS Static RAM
W24L011A-10 128K X 8 High Speed CMOS Static RAM
W24L011A-12 128K X 8 High Speed CMOS Static RAM
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參數描述
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