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參數資料
型號: W24L01Q-55LE
廠商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 128K X 8 CMOS STATIC RAM
中文描述: 128K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝: 8 X 13.40 MM, TSOP1-32
文件頁數: 2/11頁
文件大小: 182K
代理商: W24L01Q-55LE
W24L01
- 2 -
TRUTH TABLE
CS1
CS2
OE
WE
MODE
I/O1
-
I/O8
V
DD
CURRENT
H
X
X
X
Not Selected
High Z
I
SB
, I
SB
1
X
L
X
X
Not Selected
High Z
I
SB
, I
SB
1
L
H
H
H
Output Disable
High Z
I
DD
L
H
L
H
Read
Data Out
I
DD
L
H
X
L
Write
Data In
I
DD
DC CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
-0.5 to +4.6
UNIT
V
Supply Voltage to V
SS
Potential
Input/Output to V
SS
Potential
-0.5 to V
DD
+0.5
V
Allowable Power Dissipation
1.0
W
Storage Temperature
-65 to +150
°
C
LL
0 to 70
LE
-20 to 85
Operating Temperature
LI
-40 to 85
°
C
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability
of the device.
Operating Characteristics
(V
SS
= 0V; T
A
(
°
C) = 0 to 70 for LL, -20 to 85 for LE, -40 to 85 for LI)
W24L01
UNIT
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.*
MAX.
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.2
-
+0.4
V
Input High Voltage
V
IH
-
+2.2
-
V
DD
+0.3
V
Input Leakage
Current
I
LI
V
IN
= V
SS
to V
DD
-1
-
+1
μ
A
Output Leakage
Current
I
LO
VI/O = V
SS
to V
DD
,
CS1
= V
IH
(min.) or CS2 = V
IL
(max.) or
OE
= V
IH
(min.) or
WE
= V
IL
(max.)
-1
-
+1
μ
A
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= +2.1 mA
-
-
0.4
V
Output Low Voltage
V
OH
IOH = -1.0 mA
2.2
-
-
V
相關PDF資料
PDF描述
W24L01Q-55LI 128K X 8 CMOS STATIC RAM
W24L01 128K X 8 CMOS STATIC RAM
W24L01B-55LE 128K X 8 CMOS STATIC RAM
W24L01B-55LI 128K X 8 CMOS STATIC RAM
W24L01B-55LL 128K X 8 CMOS STATIC RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
W24L01Q-55LI 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128K X 8 CMOS STATIC RAM
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