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參數資料
型號: W27C020M-12
廠商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類: PROM
英文描述: 256K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM
中文描述: 256K X 8 EEPROM 12V, 120 ns, PDIP32
封裝: 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
文件頁數: 6/14頁
文件大小: 160K
代理商: W27C020M-12
Preliminary W27C020
- 6 -
READ OPERATION DC CHARACTERISTICS
(Vcc = 5.0V
±
5%)
PARAMETER
SYM.
CONDITIONS
LIMITS
UNIT
MIN.
TYP.
MAX.
Input Load Current
I
LI
V
IN
= 0V to V
CC
-5
-
5
μ
A
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
= 0V to V
CC
-10
-
10
μ
A
Standby V
CC
Current
(TTL input)
I
SB
CE = V
IH
-
-
1.0
mA
Standby V
CC
Current
(CMOS input)
I
SB
1
CE = V
CC
±
0.2V
-
5
100
μ
A
V
CC
Operating Current
I
CC
CE = V
IL
I
OUT
= 0 mA
f = 5 MHz
-
-
30
mA
V
PP
Operating Current
I
PP
V
PP
= V
CC
-
-
10
μ
A
Input Low Voltage
V
IL
-
-0.3
-
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
-
2.2
-
V
CC
+0.5
V
Output Low Voltage
V
OL
I
OL
= 2.1 mA
-
-
0.45
V
Output High Voltage
V
OH
I
OH
= -0.4 mA
2.4
-
-
V
V
PP
Operating Voltage
V
PP
-
V
CC -
0.7
-
V
CC
V
READ OPERATION AC CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5.0V
±
5%, for 70, 90 and 120 nS; T
A
= 0 to 70
°
C)
PARAMETER
SYM.
W27C020-70
W27C020-90
W27C020-12
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read Cycle Time
T
RC
70
-
90
-
120
-
nS
Chip Enable Access Time
T
CE
-
70
-
90
-
120
nS
Address Access Time
T
ACC
-
70
-
90
-
120
nS
Output Enable Access
Time
T
OE
-
30
-
40
-
55
nS
OE High to High-Z Output
T
DF
-
25
-
25
-
30
nS
Output Hold from Address
Change
T
OH
0
-
0
-
0
-
nS
Note: V
CC
must be applied simultaneously or before V
PP
and removed simultaneously or after V
PP
.
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PDF描述
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