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參數資料
型號: W27C020M-90
廠商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類: PROM
英文描述: 256K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM
中文描述: 256K X 8 EEPROM 12V, 90 ns, PDIP32
封裝: 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
文件頁數: 7/14頁
文件大小: 160K
代理商: W27C020M-90
Preliminary W27C020
Publication Release Date: September 1998
- 7 -
Revision A1
DC PROGRAMMING CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5.0V
±
5%, T
A
= 25
°
C
±
5
°
C)
PARAMETER
SYM.
CONDITIONS
LIMITS
TYP.
UNIT
MIN.
-
-
MAX.
±
10
30
Input Load Current
V
CC
Program Current
I
LI
I
CP
V
IN
= V
IL
or V
IH
-
-
μ
A
mA
CE = V
IL,
OE =
V
IH,
PGM = V
IL
CE = V
IL,
OE =
V
IH,
PGM = V
IL
V
PP
Program Current
I
PP
-
-
30
mA
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage (Verify)
Output High Voltage (Verify)
A9 Silicon I. D. Voltage
V
PP
Program Voltage
V
CC
Supply Voltage (Program)
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
V
ID
V
PP
V
CP
-
-
-0.3
2.4
-
2.4
11.5
11.75
4.5
-
-
-
-
0.8
5.5
0.45
-
12.5
12.25
5.5
V
V
V
V
V
V
V
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
= -0.4 mA
-
-
-
12.0
12.0
5.0
AC PROGRAMMING/ERASE CHARACTERISTICS
(V
CC
= 5.0V
±
5%, T
A
= 25
°
C
±
5
°
C)
PARAMETER
SYM.
LIMITS
TYP.
-
-
-
100
100
-
-
-
-
-
-
-
UNIT
MIN.
2.0
2.0
2.0
95
95
2.0
2.0
-
0
0
2.0
2.0
MAX.
-
-
-
105
105
-
-
150
130
-
-
-
V
PP
Setup Time
Address Setup Time
Data Setup Time
T
VPS
T
AS
T
DS
T
PWP
T
PWE
T
DH
T
OES
T
OEV
T
DFP
T
AH
T
AHE
T
CES
μ
S
μ
S
μ
S
μ
S
mS
PGM Program Pulse Width
PGM Erase Pulse Width
Data Hold Time
μ
S
μ
S
nS
nS
OE Setup Time
Data Valid from OE
OE High to Output High Z
Address Hold Time after PGM High
Address Hold Time (Erase)
μ
S
μ
S
μ
S
CE Setup Time
Note: V
CC
must be applied simultaneously or before V
PP
and removed simultaneously or after V
PP
.
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PDF描述
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