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參數資料
| 型號： | W29S201 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 128K×16bit CMOS Flash Memory With Synchronous Burst Read(具有同步脈沖讀模式的128K×16位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 128K的× 16位的CMOS同步突發讀取快閃記憶體（具有同步脈沖讀模式的128K的× 16位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數： | 1/31頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | W29S201 |
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Preliminary W29S201
128K
′
16 CMOS FLASH MEMORY
WITH SYNCHRONOUS BURST READ
Publication Release Date: April 1999
- 1 -
Revision A1
GENERAL DESCRIPTION
The W29S201 is a 2-megabit, 5-volt only CMOS flash memory organized as 128K
×
16 bits. The
W29S201 supports both assynchronous & high performance synchronous burst read modes. The device
can be programmed and erased in-system with a standard 5V power supply. A 12-volt V
PP
is not
required. The unique cell architecture of the W29S201 results in fast program/erase operations with
extremely low current consumption (compared to other comparable 5-volt flash memory products). The
device can also be programmed and erased using standard EPROM programmers.
FEATURES
Single 5-volt operations:
5-volt Read
5-volt Erase
5-volt Program
Fast Program operation:
Word-by-Word programming: 50
μ
S (max.)
Fast Erase operation: 100 mS (typ.)
Fast Synchronous Burst Read access time:
15/17 nS (typ.)
High performance synchronous burst read mode
up to 50Mhz Clock Frequency
Support Linear Burst Mode Read with Wrap-
Around Feature.
No Burst Length Limitation.
Fast Assynchronous Random Read access
time: 45//55 nS
Endurance: 1K/10K cycles (min.)
Twenty-year data retention
Hardware data protection
Sector configuration
One 8K words boot block with lockout
protection
Two 8K words parameter blocks
One 104K words (208K bytes) Main Memory
Array Blocks
Low power consumption
Active current: 35 mA (typ.)
Standby current: 20
μ
A (typ.)
Automatic program and erase timing with
internal V
PP
generation
End of program or erase detection
Toggle bit
Data polling
Latched address and data
TTL compatible I/O
JEDEC standard word-wide pinouts
Available packages: 48-pin TSOP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3011 | 1 GHz Quadrature Modulator |
| W3013 | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3013BCL | W3013 Indirect Quadrature Modulator with Gain Control |
| W3020 | GSM Multiband RF Transceiver |
| W3030 | W3030 3 V Dual-Mode IF Cellular Receiver |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W2A-1819 | 制造商:Nexans 功能描述:MULTI CONDUCTORS |
| W2A21A101J4T2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 5% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A101KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 100pF 20% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A220KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 22pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
| W2A21A330KAT2A | 功能描述:電容器陣列與網絡 100v 33pF 10% Tol. RoHS:否 制造商:AVX 電容:0.1 uF 容差:20 % 電壓額定值:6.3 V 元件數量:2 工作溫度范圍: 外殼長度:0.8 mm 外殼寬度:1.6 mm 外殼高度:0.5 mm 端接類型:SMD/SMT 系列:PG |
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