欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào)： WED416S8030A12SI
英文描述： 2Mx 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM(83MHz,1M x 16 位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 2Mx 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM（83MHz，100萬(wàn)× 16位× 4個(gè)組同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 1/26頁(yè)
文件大?。?/td> 354K
代理商： WED416S8030A12SI
WED416S8030A
1
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
DESCRIPTION
The WED416S8030A is 134,217,728 bits of synchronous high data
rate DRAM organized as 4 x 2,097,152 words x 16 bits. Synchronous
design allows precise cycle control with the use of systemclock,
I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of
operating frequencies, programmable burst lengths and
programmable latencies allow the same device to be useful for a
variety of high bandwidth, high performance memory system
applications.
Available in a 54 pin TSOP type II package the WED416S8030A is
tested over the industrial temp range (-40
°
C to +85
°
C) providing
a solution for rugged main memory applications.
2M x 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM
FEATURES
I
Single 3.3V power supply
I
Fully Synchronous to positive Clock Edge
I
Clock Frequency = 100, 83MHz
I
SDRAM CAS Latency = 3 (100MHz), 2 (83MHz)
I
Burst Operation
Sequential or Interleave
Burst length = programmable 1,2,4,8 or full page
Burst Read and Write
Multiple Burst Read and Single Write
I
DATA Mask Control per byte
I
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
4096 refresh cycles across 64ms
I
Automatic and Controlled Precharge Commands
I
Suspend Mode and Power Down Mode
I
Industrial Temperature Range
FIG. 1
PIN DESCRIPTION
PIN CONFIGURATION
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
DDQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
DDQ
DQ
8
V
SS
NC/RFU
UDQM
CLK
CKE
NC
A
11
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
DDQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
DQ
7
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CE
BA
0
BA
1
A
10
/AP
A
0
A
1
A
2
A
3
V
DD
T
(
J une 2000 Rev. 0
ECO#12861
A
0-11
Address Inputs
BA
0,
BA
1
Bank Select Addresses
CE
Chip Select
WE
Write Enable
CLK
Clock Input
CKE
Clock Enable
DQ
0-15
Data Input/Output
L(U)DQM
Data Input/Output Mask
RAS
Row Address Strobe
CAS
Column Address Strobe
V
DD
Power (3.3V)
V
DDQ
Data Output Power
V
SS
Ground
V
SSQ
Data Output Ground
NC
No Connection
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WED48S8030E Industrial SDRAM
WED7F2324XDNSN Intel/Sharp Flash Modules
WED7F2324XDNSN12C EEPROM
WED7F2325ZXEBSN12C EEPROM
WED7F2325ZXEBSN15C EEPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED416S8030A-SI 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Industrial SDRAM
WED48S8030E 制造商:WEDC 制造商全稱(chēng):White Electronic Designs Corporation 功能描述:2M x 8 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM
WED48S8030E10SI 制造商:WEDC 制造商全稱(chēng):White Electronic Designs Corporation 功能描述:2M x 8 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM
WED48S8030E8SI 制造商:WEDC 制造商全稱(chēng):White Electronic Designs Corporation 功能描述:2M x 8 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM
WED7F2324XDNSN 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Intel/Sharp Flash Modules
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠(chǎng)商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*
主站蜘蛛池模板： 平顺县| 金沙县| 蒙阴县| 保靖县| 油尖旺区| 涿鹿县| 青河县| 会泽县| 大英县| 体育| 靖江市| 河北省| 中方县| 镇雄县| 体育| 绥芬河市| 南乐县| 鄂尔多斯市| 沙洋县| 古丈县| 绵竹市| 洱源县| 阿坝| 岑巩县| 贵溪市| 鹿邑县| 延吉市| 四平市| 耿马| 福清市| 霸州市| 英德市| 凤城市| 平远县| 临夏市| 铜山县| 普安县| 白沙| 潮州市| 鲁甸县| 绿春县|