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參數(shù)資料
型號(hào)： WED9LC6816V1610BI
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA153
封裝： 14 X 22 MM, MO-163, BGA-153
文件頁(yè)數(shù)： 1/26頁(yè)
文件大小： 324K
代理商： WED9LC6816V1610BI
WED9LC6816V
1
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
September, 2003
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
256Kx32 SSRAM/4Mx32 SDRAM - External
Memory Solution for Texas Instruments
TMS320C6000 DSP
FEATURES
Clock speeds:
SSRAM: 200, 166,150, and 133 MHz
SDRAMs: 125 and 100 MHz
DSP Memory Solution
Texas Instruments TMS320C6201
Texas Instruments TMS320C6701
Packaging:
153 pin BGA, JEDEC MO-163
3.3V Operating supply voltage
Direct control interface to both the SSRAM and
SDRAM ports on the “C6x”
Common address and databus
65% space savings vs. monolithic solution
Reduced system inductance and capacitance
DESCRIPTION
The WED9LC6816V is a 3.3V, 256K x 32 Synchronous
Pipeline SRAM and a 4Mx32 Synchronous DRAM array
constructed with one 256K x 32 SBSRAM and two 4Mx16
SDRAM die mounted on a multilayer laminate substrate.
The device is packaged in a 153 lead, 14mm x 22mm,
BGA.
The WED9LC6816V provides a total memory solution
for the Texas Instruments TMS320C6201 and the
TMS320C6701 DSPs The Synchronous Pipeline SRAM
is available with clock speeds of 200, 166,150,v and 133
MHz, allowing the user to develop a fast external memory
for the SSRAM interface port .
The SDRAM is available in clock speeds of 125 and 100
MHz, allowing the user to develop a fast external memory
for the SDRAM interface port.
The WED9LC6816V is available in both commercial and
industrial temperature ranges.
This product is subject to change without notice.
FIG. 1 PIN CONFIGURATION
TOP VIEW
PIN DESCRIPTION
12
3
4
5
6
78
9
A
DQ19
DQ23
VCC
VSS
VCC
DQ24
DQ28
B
DQ18
DQ22
VCC
DA10
NC
VCC
VCCQ
DQ29
D
DQ17
DQ21
VCC
VSS
VCC
DQ26
DQ30
E
DQ16
DQ20
VCC
VSS
SDCK
VSS
VCC
DQ27
DQ31
F
VCCQ
VCC
VSS
VCC
VCCQ
G
NC
SDRAS#
SDCAS#
VSS
A2
A4
A5
H
NC
A8
VSS
NC
A1
A3
A10
J
A6
A7
A9
VSS
NC
A0
A11
A12
K
A17
NC/A18
NC/A19
VSS
NC
A13
A14
L
NC
BWE2#
BWE3#
NC
A15
A16
M
VCCQ
VCC
BWE0#
BWE1#
NC
VCC
VCCQ
N
DQ12
DQ11
VCC
VSS
VCC
DQ4
DQ0
P
DQ13
DQ10
VCC
VSS
SSCK
VSS
VCC
DQ5
DQ1
R
VCCQ
VCC
VSS
VCC
VCCQ
T
DQ14
DQ9
VCC
SSADC#
SSWE#
NC
VCC
DQ6
DQ2
U
DQ15
DQ8
VCC
SSOE#
SSCE#
NC
VCC
DQ7
DQ3
A0-17
Address Bus
DQ0-31
Data Bus
SSCK
SSRAM Clock
SSADC#
SSRAM Address Status Control
SSWE#
SSRAM Write Enable
SSOE#
SSRAM Output Enable
SDCK
SDRAM Clock
SDRAS#
SDRAM Row Address Strobe
SDCAS#
SDRAM Column Address Strobe
SDWE#
SDRAM Write Enable
SDA10
SDRAM Address 10/auto precharge
BWE0-3#
SSRAM Byte Write Enables SDRAM SDQM 0-3
SSCE
Chip Enable SSRAM Device
SDCE
Chip Enable SDRAM Device
VCC
Power Supply pins, 3.3V
VCCQ
Data Bus Power Supply pins, 3.3V (2.5V future)
VSS
Ground
NC
No Contact
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WSF512K32-29H2M SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, CPGA66
W1D256M72R8A-3.75AE-PA 256M X 8 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240
W1D256M72R8A-3.75AE-QA1 256M X 8 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240
W1D256M72R8A-3.75AL-JB2 256M X 8 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240
W1D256M72R8A-3.75AP-QA2 256M X 8 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED9LC6816V1612BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V1612BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V2010BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V2010BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
WED9LC6816V2012BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K X 32 SSRAM/ 4M X 32 SDRAM
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