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參數資料
型號: WMBTA42
廠商: 永盛國際集團
英文描述: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORS
中文描述: npn型外延硅晶體管
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 73K
代理商: WMBTA42
NP
N
EPITAXIAL SILICON TRANSISTORS
W
MBTA42
High Voltage Transistor
Die Size
0.
6
*0.
6mm
Power Dissipation: 225mW
*
*
*
Emitoe 100*100mkm
Base 100*100mkm
GUARANTEED PROBED CHARACTERISTICS (T
A
=25
)
Limits
Typ
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Units
Collector-emitter
Breakdown Voltage
V
CEO
I
C
=1
.0
mA
30
0
-
-
V
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
CBO
I
C
=100
u
A
Collector Cut-off
Current
I
CBO
V
CB
=2
6
0V
-
-
100
nA
Emitter Cut-off
Current
I
EBO
V
EB
=6V
-
-
100
nA
DC Current Gain
h
FE
V
CE
=10V, I
C
=1mA
V
CE
=10V, I
C
=10mA
V
CE
=10V, I
C
=30mA
30
40
40
-
-
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BEsat
I
C
=20mA, I
b
=2mA
-
-
0.90
V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CEsat
I
C
=20mA, I
B
=2mA
-
-
Transition
Frequency
f
r
V
CE
=20V,
I
C
=10mA,f=10MHz
50
-
-
MHz
Collector-Base
Capacitance
NOTES:
Due to probe testing limitations, only the DC parameters are tested.
C
cb
V
CB
=20V, f=1MHz
-
-
3.0
pF
Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd.
Homepage:
http://www.wingshing.com
Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153
E-mail: wsccltd@hkstar.com
SOT
23
Collector Current: Max. 500mA
Bonding Pad Size
1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
300
-
-
V
0.35 V
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PDF描述
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