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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN0A312(XN1A312) |
| 英文描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 中文描述： | 複合デバイス-複合トランジスタ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | XN0A312(XN1A312) |
Composite Transistors
XN0A311
(XN1A311)
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: December 2003
SJJ00234CED
For switching
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
UNR2211 (UN2211)
+
UNR2111 (UN2111)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: FN
Internal Connection
5
Tr2
Tr1
4
3
2
1
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
50
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
mA
Overall
Total power dissipation
P
T
300
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Unit: mm
1: Collector (Tr1)
Base (Tr2)
2: Collector (Tr2)
EIAJ: SC-74A
3: Emitter (Tr2)
4: Base (Tr1)
5: Emitter (Tr1)
Mini5-G1 Package
2.90
1.9
(0.95) (0.95)
0.16
+0.10
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
0
+
–
0.30
+0.10
5
4
3
1
2
+0.20
5
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN0B301 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN1B301 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN0B301(XN1B301) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN0C301(XN1C301) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN0D873 | Composite Device - Composite Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XN0A554 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74 |
| XN0A554(XN6A554) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
| XN0A55400L | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/NPN MINI-6 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):SP000747402 |
| XN0B301 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-74A |
| XN0B301(XN1B301) | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
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