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參數資料
| 型號： | XP04316 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 復合設備-復合晶體管 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | XP04316 |
Composite Transistors
XP04311
(XP4311)
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: June 2003
SJJ00176BED
For switching/digital circuits
■
Features
Two elements incorporated into one package
(Transistors with built-in resistor)
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
UNR2211 (UN2211)
+
UNR2111 (UN2111)
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 7X
Internal Connection
4
Tr1
Tr2
5
6
1
3
2
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
50
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Collector current
I
C
100
mA
Overall
Total power dissipation
P
T
150
mW
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Unit: mm
5
10
2
±
0
1
±
0
1
3
2
0.2
±
0.05
0.12
+0.05
0
±
0
(
1.3
±
0.1
2.0
±
0.1
0
0
±
0
0
+
–
6
5
4
(0.65) (0.65)
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
3: Collector (Tr2)
EIAJ: SC-88
4: Emitter (Tr2)
5: Base (Tr2)
6: Collector (Tr1)
SMini6-G1 Package
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XP4316 | Composite Device - Composite Transistors |
| XP04314(XP4314) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP04311(XP4311) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP04312(XP4312) | XP04312 (XP4312) - Composite Transistors |
| XP04313(XP4313) | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| XP04316(XP4316) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XP0431600L | 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN W/RES S MINI RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046 |
| XP0431N | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
| XP0431N00L | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES SMINI6 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046 |
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