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參數資料
型號: XP0C301
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: For General Amplification
中文描述: 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: ROHS COMPLIANT, SMINI5-G1, SC-88A, 5 PIN
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 118K
代理商: XP0C301
Composite Transistors
XP0C301
(XP1C301)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr1)
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: December 2003
SJJ00222CED
For general amplification
Features
Two elements incorporated into one package
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
Basic Part Number
2SB0709A (2SB709A)
+
2SD0601A (2SD601A)
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 4R
Internal Connection
1
Tr2
Tr1
3
4
2
5
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.
Parameter
Symbol
Rating
60
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
I
CP
V
CBO
100
200
60
mA
Peak collector current
mA
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
7
V
Collector current
I
C
100
mA
Peak collector current
I
CP
P
T
200
mA
Overall
Total power dissipation
150
mW
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
Unit: mm
1: Emitter (Tr1)
2: Base (Tr1)
Emitter (Tr2)
EIAJ: SC-88A
3: Base (Tr2)
4: Collector (Tr2)
5: Collector (Tr1)
SMini5-G1 Package
2
±
0
0
+
0
±
0
0
1
±
0
1
3
2
0.20
±
0.05
0
1.3
±
0.1
2.0
±
0.1
5
4
0.65
0.65
0
±
0
0.12
+0.05
5
10
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PDF描述
XP1C301 Composite Device - Composite Transistors
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