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ZXMHC3A01N8TC

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說明
操作

ZXMHC3A01N8TC
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
0
DIODES
原廠
21+
-
全部原裝現貨，做市場最低價。

ZXMHC3A01N8TC
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
DIODES/美臺
SO8
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

ZXMHC3A01N8TC
北京杰創宏達電子有限公司
北京杰創宏達電子有限公司
聯系人：沈小姐/伊小姐/張先生
電話：010-61190909
地址：北京市海淀區安寧莊26號悅MOMA701室
資質：營業執照
2600
原廠原裝
原廠原裝
24+
-
授權代理商

ZXMHC3A01N8TC
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Diodes
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

ZXMHC3A01N8TC
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
原廠封裝
最新
-

ZXMHC3A01N8TC
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
原廠
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

ZXMHC3A01N8TC
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

ZXMHC3A01N8TC
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
原廠封裝
最新
-
全新原裝100%正品保證質量

ZXMHC3A01N8TC
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
DIODES IN
REEL
1521+
-
全新原裝現貨

ZXMHC3A01N8TC
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
2500
DIODES INC.
主營優勢
19+
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100%原裝正品★終端免費供樣★

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功能描述
MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ZXMHC3A01N8TC 技術參數

ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A，800mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-223-8 供應商器件封裝:SM8 基本零件編號:ZXMHC10A07T8 標準包裝:1 ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:1,000 ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A，3.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:770pF @ 40V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.9A，2.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:8-MLP（3x3）標準包裝:1 ZXLD383ET5TA 功能描述:LED照明驅動器 LED DRIVER ENABLE/RECTIFR INPUT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 輸入電壓:11.5 V to 23 V 工作頻率: 最大電源電流:1.7 mA 輸出電流: 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-16N ZXMN10A07ZTA ZXMN10A08DN8TA ZXMN10A08DN8TC ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08GTA ZXMN10A09KTC ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTC ZXMN10A11K ZXMN10A11KTC ZXMN10A25GTA ZXMN10A25K ZXMN10A25KTC ZXMN10B08E6TA ZXMN10B08E6TC ZXMN15A27KTC ZXMN2069FTA