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參數資料
| 型號： | Z86E3116SEC |
| 英文描述： | Transient Surge Protection Thyristor; Package/Case:6-SOIC; Current, It av:2.2A; Reel Quantity:1500; Capacitance:20pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:640V; Holding Current:150mA; Mounting Type:Surface Mount |
| 中文描述： | 單片機| 8位| Z8的CPU |的CMOS |專科| 28腳|塑料 |
| 文件頁數： | 32/64頁 |
| 文件大小： | 310K |
| 代理商： | Z86E3116SEC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁當前第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
Z86E30/E31/E40
Z8 4K OTP Microcontroller
Zilog
32
P R E L I M I N A R Y
DS97Z8X0502
FUNCTIONAL DESCRIPTION
(Continued)
Data Memory
(DM). In EPROM Mode, the Z86E40 can
address up to 60 KB of external data memory beginning at
location 4096. In ROMless mode, the Z86E40 can address
up to 64 KB of data memory. External data memory may
be included with, or separated from, the external program
memory space. DM, an optional I/O function that can be
programmed to appear on pin P34, is used to distinguish
between data and program memory space (Figure 23).
The state of the DM signal is controlled by the type of in-
struction being executed. An LDC opcode references
PROGRAM (DM inactive) memory, and an LDE instruction
references data (DM active Low) memory.
Figure 23. Data Memory Map
65535
4096
4095
0
External
Data
Memory
Not Addressable
External
Data
Memory
EPROM
ROMless
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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