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參數資料
| 型號： | ZHAL20R6ACNL |
| 英文描述： | ASIC |
| 中文描述： | 專用集成電路 |
| 文件頁數： | 1/14頁 |
| 文件大小： | 995K |
| 代理商： | ZHAL20R6ACNL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZHAL20R6ACNS | ASIC |
| ZHAL20R8ACNL | ASIC |
| ZHAL20R8ACNS | ASIC |
| ZHAL20RS10ACNL | NanoPower Voltage Detectors |
| ZHAL20RS10ACNS | ASIC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Z-HAN-RANGE-LRS | 制造商:TELEGESIS 功能描述:ZIGBEE GATEWAY |
| ZHB6718 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY H-BRIDGE 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY, H-BRIDGE 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN & PNP, QUAD, 20V, 2.5A, 2W, SM8; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ ft:140MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:2.5A; DC Current Gain hFE:450 ;RoHS Compliant: Yes |
| ZHB6718 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR ARRAY H-BRIDGE |
| ZHB6718TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H-Bridge-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZHB6718TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H-Bridge-20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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