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參數資料
型號: ZTX502
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 35V的五(巴西)總裁| 500mA的一(c)|至92VAR
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代理商: ZTX502
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ZTX502DA TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX502DB TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX502DC TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX500DA TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | CHIP
ZTX500DB TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | CHIP
相關代理商/技術參數
參數描述
ZTX502DA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX502DB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX502DC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | CHIP
ZTX502STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZTX502STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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