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參數資料
| 型號： | ZTX600B |
| 元件分類： | TVS-瞬態抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|達林頓| npn型| 140伏特五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92VAR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | ZTX600B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZTX601A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX600A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX601B | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZTX653DCSM | NPN Dual Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package For High Reliability Application(Vcbo:120V,Vceo:100V,Vebo:5V)(雙NPN晶體管（高可靠性、氣密陶瓷表貼封裝,Vcbo:120V,Vceo:100V,Vebo:5V)) |
| ZTX753DCSM | PNP Dual Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package For High Reliability Application(Vcbo:-120V,Vceo:-100V,Vebo:-5V)(雙PNP晶體管（高可靠性、氣密陶瓷表貼封裝,Vcbo:-120V,Vceo:-100V,Vebo:-5V)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ZTX600BSTOA | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ZTX600BSTOB | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ZTX600BSTZ | 功能描述:達林頓晶體管 - RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ZTX600DA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | CHIP |
| ZTX600DB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | CHIP |
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