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參數資料
| 型號： | ZVN2106E |
| 元件分類： | TVS-瞬態抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 450MA（丁）|雙酯 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 265K |
| 代理商： | ZVN2106E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVN2106GTA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVN2106L | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVN2106Z | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVN2110B | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVN2120C | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ZVN2106G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.4V; Power Dissipation Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes |
| ZVN2106G | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
| ZVN2106GTA | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVN2106GTA-CUT TAPE | 制造商:DIODES 功能描述:ZVN2106G Series 60 V 2 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET- SOT-223 |
| ZVN2106GTC | 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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