| 型號(hào)： | ZVNL110GTA |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 |
| 其它圖紙： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 600mA |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 歐姆 @ 500mA，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 75pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-223 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | ZVNL110GDKR |