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參數資料
| 型號： | ZVNL120C |
| 元件分類： | TVS-瞬態抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 180mA的一（d）|到92 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | ZVNL120C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVNL535AM1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVP0545L | Thyristor - SIDAC |
| ZVP2110AM1 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 230MA I(D) | SO |
| ZVP2120AM1 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 120MA I(D) | SO |
| ZVNL120AM1 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ZVNL120CSTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVNL120CSTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVNL120CSTZ | 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVNL120DA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
| ZVNL120DB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP |
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