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參數資料
型號: ZVNL120GTC
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 200V SOT223
標準包裝: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 320mA
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 歐姆 @ 250mA,5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 85pF @ 25V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝: SOT-223
包裝: 帶卷 (TR)
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