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參數資料
| 型號： | ZVP2106Z |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 390MA I(D) | SOT-89 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 390MA（?。﹟采用SOT - 89 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | ZVP2106Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP2110B | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-39 |
| ZVP2120B | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-39 |
| ZVP2120C | Obsolete - alternative part: ZVP2120A |
| ZVP2120L | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-220 |
| ZVP2120Z | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 170MA I(D) | SOT-89 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ZVP2110 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVP2110A | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVP2110AM1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 230MA I(D) | SO |
| ZVP2110ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVP2110ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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