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參數(shù)資料
型號(hào): ZXM61P03FTA
廠商: Diodes Inc
文件頁(yè)數(shù): 1/7頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
其它圖紙: SOT-23
SOT-23 Top
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.1A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 350 毫歐 @ 600mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 140pF @ 25V
功率 - 最大: 625mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXM61P03FDKR
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