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參數資料
型號: ZXMC10A816N8TC
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 4/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC
標準包裝: 1
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 230 毫歐 @ 1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 497pF @ 50V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOP
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1475 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXMC10A816N8DIDKR
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