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參數資料
型號: ZXMC3A18DN8TA
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 2/12頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC
產品目錄繪圖: SO-8
SO-8 Dual Pin Out
標準包裝: 1
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 5.8A,4.8A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫歐 @ 5.8A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 36nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
功率 - 最大: 1.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SO
包裝: 標準包裝
其它名稱: ZXMC3A18DN8DKR
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