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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZXMC4559DN8(2) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/10頁(yè) |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | ZXMC4559DN8(2) |
SUMMARY
N-Channel V
(BR)DSS
= 60V; R
DS(ON)
= 0.055 ; I
D
= 4.7A
P-Channel V
(BR)DSS
= -60V; R
DS(ON)
= 0.105 ; I
D
= -3.5A
DESCRIPTION
This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching
speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power
management applications.
FEATURES
Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
Low profile SOIC package
APPLICATIONS
Motor Drive
LCD backlighting
DEVICE MARKING
ZXMC
4559
ZXMC4559DN8
ISSUE 1 - SEPTEMBER 2002
1
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET
DEVICE
REEL
TAPE
WIDTH
12mm
12mm
QUANTITY
PER REEL
500 units
2500 units
ZXMC4559DN8TA
ZXMC4559DN8TC
7
’‘
13’‘
ORDERING INFORMATION
Q2 = P-CHANNEL
Q1 = N-CHANNEL
SO8
Top view
PINOUT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZXMC4559DN8TA | 功能描述:MOSFET Comp. 60V NP-Chnl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMC4559DN8TC | 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| ZXMC4A16DN8 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:COMPLEMENTARY 40V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| ZXMC4A16DN8TA | 功能描述:MOSFET 40V N/P-Channel Enhancement MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZXMC4A16DN8TC | 功能描述:MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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