| 型號： |
ZXMHC10A07T8TA |
| 廠商： |
Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： |
1/10頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 100V SM8 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋式）
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
100V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1A，800mA
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
700 毫歐 @ 1.5A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
2.9nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
138pF @ 60V
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| 功率 - 最大： |
1.3W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
SOT-223-8
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SM8
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1479 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
ZXMHC10A07T8DKR
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