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參數資料
型號: ZXMHC3A01N8TC
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 8/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 通道和 2 個 P 通道(H 橋式)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2.17A,1.64A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫歐 @ 2.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 190pF @ 25V
功率 - 最大: 870mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOP
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXMHC3A01N8DIDKR
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