| 型號(hào)： | ZXMHC6A07N8TC |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/11頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個(gè) N 通道和 2 個(gè) P 通道（H 橋式） |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.39A，1.28A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫歐 @ 1.8A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 3.2nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 166pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 870mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOP |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | ZXMHC6A07N8DIDKR |