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參數資料
型號: ZXMHC6A07T8TA
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 8/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 通道和 2 個 P 通道(H 橋式)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1.6A,1.3A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫歐 @ 1.8A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 166pF @ 40V
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-223-8
供應商設備封裝: SM8
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1479 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: ZXMHC6A07T8DKR
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