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參數資料
型號: ZXMN10A08DN8TC
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 1/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC
標準包裝: 2,500
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1.6A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 250 毫歐 @ 3.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 405pF @ 50V
功率 - 最大: 1.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOP
包裝: 帶卷 (TR)
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