| 型號： | ZXMN10A08G |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| 其它圖紙： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 250 毫歐 @ 3.2A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 7.7nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-223 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | ZXMN10A08GDKR |