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參數資料
型號: ZXMN10A11GTC
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
標準包裝: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 1.7A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 350 毫歐 @ 2.6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 274pF @ 50V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應商設備封裝: SOT-223
包裝: 帶卷 (TR)
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