| 型號(hào)： | ZXMN10A25GTA |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V SOT223 |
| 其它圖紙： | SOT-223 SOT-223 Footprint |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2.9A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫歐 @ 2.9A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 859pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-223 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1474 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | ZXMN10A25GDKR ZXMN10A25GDKR-ND ZXMN10A25GTADKR |