| 型號： | ZXMN10B08E6TC |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 7/7頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 10,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫歐 @ 1.6A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 9.2nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 497pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-23-6 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SOT-23-6 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |