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參數(shù)資料
型號: ZXMN2A02X8TC
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 4,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 11A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 700mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18.6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1900pF @ 10V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-MSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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